بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر جریان سیال داخل کانال بسته
کد مقاله : 1070-ISME
نویسندگان:
بهروز حبیبی *
مکانیک،مکانیک،صنعتی ارومیه،ایران،تهران
چکیده مقاله:
مساله مفروض ما کانال بسته ای است با ابعاد a*b و طول L که از میان آن نانوسیالی عبور می کند.هدف مطالعه پروفیل سرعت و دما تحت تاثیر میدان مغناطیسی می باشد. برای این منظور ما معادله ناویراستوکس را در مختصات دکارتی و معادله ی انرژی را برای یک کانال بسته ساده سازی می کنیم.
ابتدا ما با توجه به موجود بودن عدد ناسلت برای کانال بسته در حالت بدون میدان،ما عدد ناسلت را برای این شرایط بدست می آوریم و سپس یک شبکه مستقل ایجاد می کنیم.با این شبکه مستقل محاسبات را انجام داده و عدد ناسلت را برای حالت با میدان به ازای عددهای هارتمن مختلف بدست آورده و کانتورهایی برای سرعت و دما رسم می کنیم.
مقدار عددی عدد ناسلت در حالت بدون میدان مغناطیسی (Ha=0) برابر Nu=3.5163 می باشد که نسبت به مقدار عملی آن که برابر Nu_عملی=3.61 می باشد حدود 2.7% دارای خطا می باشد که مقبول می باشد.
طبق این اعتبارسنجی برای حالت بدون میدان مغناطیسی ، می توان گفت که نتایج برای حالت با میدان مغناطیسی معتبر است و با خطای کوچک و قابل قبول همراه است.
کلیدواژه ها:
عدد ناسلت Nu , عدد هارتمن Ha , میدان مغناطیسی B
وضعیت : مقاله برای ارائه شفاهی پذیرفته شده است