شبیه سازی عددی انتقال حرارت جابجایی نانوسیال در یک کانال موج دار شار ثابت در میدان مغناطیسی
کد مقاله : 1067-ISME
نویسندگان:
نجات شیخ پور *، آرش میرعبداله لواسانی
گروه مهندسی مکانیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی، تهران
چکیده مقاله:
طراحی دیواره ها به صورت موج دار یکی از روشهای بهینه سازی و افزایش انتقال حرارت است. در این مطالعه جریان به صورت آرام نانوسیال در یک کانال دوبعدی موجی شکل با شار حرارتی ثابت به میزان 100 وات بر متر مربع و تحت تاثیر میدان مغناطیسی شبیه سازی شده است. حل عددی معادلات به کمک روش حجم محدود انجام شده است. همچنین تاثیر مغناطیس با مقادیر چهار عدد بی بعد هارتمن 20، 40، 60 و 80 بر انتقال حرارت جابجایی اجباری بررسی شده است. نتایج نشان می دهد با افزایش عدد هارتمن مقدار عدد ناسلت محلی و متوسط در مسیر جریان افزایش یافته است به نحوی که در عدد هارتمن20 به مقدار 12 درصد عدد ناسلت متوسط افزایش یافته است. برای اعتبار سنجی نتایج در این پژوهش با روش تحلیلی مقایسه شد که نتایج به دست آمده تطابق و هماهنگی قابل قبولی بین نتایج حل عددی و داده های تحلیلی را نشان داد.
کلیدواژه ها:
شبیه سازی عددی، کانال موجی شکل، میدان مغناطیسی، نانوسیال، شار حرارتی ثابت
وضعیت : مقاله برای ارائه شفاهی پذیرفته شده است